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研究背景在传统的金属氧化物电解质栅控晶体管中，器件的性能提升始终面临着一对无法调和的矛盾：如果想要提高器件的跨导——也就是放大信号的能力——就需要增大双电层的电容，而这通常意味着要扩大沟道的面积。但与