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| 欢迎投稿，投稿请联系：MatResFron001（微信号）背景介绍随着集成电路技术推进至亚10 nm工艺节点，传统硅基场效应晶体管（MOSFET）面临严重的短沟道效应，其栅控能力显著下降，器件性能