半导体所研制出具有高隧穿电阻比的滑移铁电隧穿结

电介质Dielectrics 2026年09月12日 查看原文

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铁电隧穿结可通过铁电极化翻转调控隧穿电流,以紧凑的两端结构实现信息的非易失写入和非破坏性电阻读出,是面向高密度非易失存储与存内计算的重要候选器件。然而,在此类器件中,高隧穿电阻比与高循环耐久性长期以来