InGaAs/InP SPAD与薄膜铌酸锂光子芯片的混合集成

MEMS 2026年09月30日 查看原文

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薄膜铌酸锂(TFLN)凭借其在高速光调制、低波导损耗和强非线性效应方面的优异性能,成为构建集成量子光子芯片的强大平台。然而,在薄膜铌酸锂光子芯片上实现紧凑且低成本的单光子探测仍面临挑战。光子引线键合(