Advanced Functional Materials：铁电印记调控非对称多层栅介质中非易失存储场效应晶体管的存储窗口

已收录文章摘要，完整内容可前往原文阅读。

研究背景铁电存储器利用铁电材料自发极化的双稳态来存储信息，在铁电场效应晶体管（NVMFET）结构中，铁电层的剩余极化电荷在铁电/半导体界面处静电调制沟道载流子密度，无需持续供电即可维持高、低电导两种存