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β-Ga₂O₃是一种超宽禁带半导体，既具有对日盲紫外光的选择性响应，其低对称单斜晶体结构又带来明显的面内光学各向异性，因此可用于日盲和偏振探测。面向集成器件，关键不仅是获得高质量β-Ga₂O₃，还需要