最新Nature:晶圆级外延生长高迁移率p型硼碳氮

材料人 2026年10月01日 查看原文

已收录文章摘要,完整内容可前往原文阅读。

科学背景二维半导体因原子级厚度被视为延续摩尔定律、构建三维单片集成互补场效应晶体管的关键沟道材料,但高性能p型二维半导体的发展长期受限:强烈的电子掺杂倾向、轨道局域化和严重空穴散射,导致可用p型材料种