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高性能p型半导体的缺乏，已经成为实现二维互补金属氧化物半导体CMOS集成技术的长期技术瓶颈之一。二维材料普遍存在较强的电子掺杂倾向、轨道局域化，以及显著空穴散射效应，共同阻碍了稳定、高效p型二维材料的