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纳米尺度磁性（反）斯格明子、磁半子等实空间拓扑自旋结构，由于具有拓扑保护带来的高稳定性以及低功耗外场操控等特点，有望作为新型磁性信息单元实现未来高密度、高速度信息存储和新型自旋电子器件。前期研究发现，