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研究背景二维互补金属氧化物半导体技术的发展长期受制于高性能p型半导体的缺失。强电子掺杂倾向、轨道局域化与显著的空穴散射共同限制了p型二维材料的稳定性与输运性能，其迁移率普遍比n型对应物低一至两个数量级