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成核控制是半导体沉积工艺的基础步骤，并决定着晶体材料何时、何地以及如何形成。传统制造策略，可以调控成核密度，并通过区域选择性生长，将沉积限制在指定区域。然而，这些策略，通常无法决定单个晶核在生长区域内