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摘 要河北大学闫小兵团队选择无铅AgNbO3（ANO）反铁电材料，通过利用脉冲激光沉积技术，在单晶SrTiO3（STO）衬底上外延生长了Pt/SRO/ANO/SRO/STO结构忆阻器，该忆阻器表现出