剑桥大学Nano Letters:电介质诱导的单层 MoS₂ 电荷掺杂

研精究微 2026年08月22日 查看原文

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| 欢迎投稿,投稿请联系:MatResFron001(微信号)研究背景原子级厚度的二维过渡金属硫化物(TMD)半导体的电子性质会受到其介电环境的显著影响。界面偶极与电荷转移可从衬底向沟道注入掺杂,改变