Advanced Functional Materials：α-In₂Se₃ 铁电晶体管中降低接触电阻与增强铁电翻转的互补面内晶格应变

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研究背景铁电半导体场效应晶体管（FeS-FET）以沟道自身的剩余极化存储信息，无需独立铁电栅叠层，具有低功耗、非破坏性读取与结构紧凑等优势，是新兴非易失性存储的有力候选。范德华α-In₂Se₃具有面内