Advanced Functional Materials：超越单层——晶圆级多层过渡金属硫族化合物的机遇与挑战

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研究背景随着硅基集成电路逼近尺寸微缩极限，短沟道效应、功耗攀升与散热问题日益突出，二维材料尤其是过渡金属硫族化合物（TMDs）凭借层数依赖的电子结构与可调带隙，被视为下一代电子与光电器件的重要候选。目