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推荐导语铁电 HfO2基薄膜是下一代非易失性存储器件的重要候选材料，但如何兼顾高剩余极化、快速极化翻转、长期数据保持与器件可靠性仍面临挑战。薄膜厚度、界面结构及生长氧化还原条件如何协同调控其铁电性能，