研究进展 | 集成电路材料：三维存储器微缩的架构基础与集成约束，Nature Reviews Electrical Engineering
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动态随机存取存储器（dynamic random-access memory，DRAM）主要依赖器件微缩与单元结构改进提升存储密度。随着设计规则进入10 nm以下，电容缩减、字线电阻上升及单元间干扰相
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动态随机存取存储器（dynamic random-access memory，DRAM）主要依赖器件微缩与单元结构改进提升存储密度。随着设计规则进入10 nm以下，电容缩减、字线电阻上升及单元间干扰相