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背景介绍随着先进集成电路持续向高密度、低功耗和三维集成方向发展，兼具纳米尺度可扩展性、CMOS 工艺兼容性以及优异电学性能的 HfO2 基功能薄膜受到广泛关注。其中，HfxZr1-xO2（HZO）反铁