北京大学康佳昊研究员课题组：采用原子级平滑的非晶金属作为栅极，可同时降低碳纳米管薄膜晶体管中的界面陷阱密度与回滞电压

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背景介绍碳纳米管因其优异的静电特性、高载流子迁移率以及与低温工艺良好的兼容性，被认为是构建下一代薄膜晶体管（TFT）的理想沟道材料。在广泛采用的底栅结构中，栅极形貌作为纳米尺度的物理参数，对界面电荷俘