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随着人工智能、存算一体以及大规模数据处理需求的持续发展，信息存储器发展对材料性能提出了更高要求：既需要在纳米尺度实现高集成度与低功耗，同时也希望在更大尺度下保持稳定性能与功能拓展能力。兼具优良CMOS