Advanced Functional Materials:α-In₂Se₃ 铁电晶体管中降低接触电阻与增强铁电翻转的互补面内晶格应变

研精究微 2026年10月12日 查看原文

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| 欢迎投稿,投稿请联系:MatResFron001(微信号)研究背景铁电半导体场效应晶体管(FeS-FET)以沟道自身的剩余极化存储信息,无需独立铁电栅叠层,具有低功耗、非破坏性读取与结构紧凑等优势