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KOH 湿法刻蚀是 MEMS 和光伏中最经典的硅各向异性刻蚀方法。它的核心特点是不同晶面的刻蚀速率差别极大，因此能利用晶体结构“自动”刻出几何形状精确的结构。一、反应原理总反应可写为：Si + 2OH